第二十六章 IGBT (2/2)
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长，刘义，同时也是文同志的好朋友。付厂长帮了我和小璇很多，让我们两个脱离贫困，现在我在华兴电子厂是八级工，同时也是车间主任，我妹妹是厂长助理！”
陆军特意提了他在华兴电子厂的身份，依他小时候，黄老爷子对他们一家很好的印象，付新对他和陆璇的这些帮助，应该可以帮付新挽回一点印象分。
果不其然，黄老爷子的脸色缓和了许多，对待付新不再像之前那样厌恶，但是黄老爷子还有疑问：向陆军问道：“你是八级工？”
陆军知道，小说的内容已经够啰嗦，作者已经在尽量改了，如果再把这个问题逐字逐句用好几章的篇幅去解释一遍，那不用作者把他干掉，读者们的怒火也会把他干掉了，所以陆军选择咧叽里呱啦语速超快的说了一遍。
“你是说，你这次来浔阳，是因为在研究双向晶闸管的过程中，遇到了瓶颈。你们这个付厂长才把你带出来散心，放松一下紧绷的精神的？”黄老爷子问道。
付新现在是如坐针毡啊，心底也在苦笑，感叹自己太冒失了，不经详细调查，就贸然行动，这件事儿上，着实是自己错了！
“是的，在实现任何一个方向导通上，我遇到了问题。”陆军就是一个技术宅，一谈到技术，他就感觉全身的血液在沸腾。
“双向晶闸管，我有一些研究心得。我问你，你知道双阳晶闸管为什么能在任何一个方向实现导通吗？”黄老爷子也是做了一辈子技术人员的人，说道技术，他同样很感兴趣。
陆军回答道：“我知道啊，这是由于双向晶闸管正、反特性具有对称性。”
“看来你还是知道一些的，不错！”黄老爷子赞叹道：“不过，那你有没有测绘出你所研究的双向晶闸管伏安特性曲线上面的几个特殊数据？”
“伏安特性曲线？”陆军不由得一拍脑门，说道：“看来我这些天真的是忙得有些思想混乱了，我把伏安特性曲线这茬给忘掉了一直在这双向晶闸管的结构图、工作原理和特性上下功夫。”
黄老爷子笑着说道：“你说你在双向晶闸管的结构图和和工作原理上下功夫，双向晶闸管的N-P-N-P-N结构我就我考你了，我来考考你双向晶闸管的工作原理，你吧双向晶闸管的工作原理和特性给我说一遍吧！”
陆军点了点头，说道：“嗯！双向晶闸管与单向晶闸管一样，也具有触发控制特性。
不过，它的触发控制特性与单向晶闸管有很大的不同，这就是无论在阳极和阴极间接入何种极性的电压，只要在它的控制极上加上一个触发脉冲，也不管这个脉冲是什么极性的，都可以使双向晶闸管导通。
因为双向晶闸管具有两个方向轮流导通、关断的特性，双向晶闸管实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。
由于主电极的构造是对称的（都从N层引出），所以它的电极不像单向晶闸管那样分别叫阳极和阴极，而是把与控制极相近的叫做第一电极T1，另一个叫做第二电极T2。
双向晶闸管的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。
这是因为双向晶闸管在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，必须采取相应的保护措施。双向晶闸管元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。”
一直插不上话，百无聊赖的付新这时找到了话题，看来陆军说得对，研究双向晶闸管之前，必须把单向晶闸管给吃透，不然会有麻烦。果然，陆军现在就出了问题，付新说道：“军哥，你还漏说了一点。
由于双向晶闸管的两个主电极没有正负之分，所以它的参数中也就没有正向峰值电压与反同峰值电压之分，而只用一个最大峰值电压。不过你没有画伏安特性曲线，出现这个问题也正常。”
黄老爷子意外地看了付新一眼，没想到付新也懂这个，黄老爷子在心底想到：“看来这小子小小年纪就坐到了厂长的位置，是由真本事的！”
不过他对付新的印象依然不是很好，只是淡淡地说道：“没想到你也懂啊，那……”
陆军见形势又不对，立即插嘴为付新解围道：“黄伯伯，付厂长他很厉害的，他的技术，在我们厂里那绝对是排第一，不过他平时工作太多，没有把全部精力放在研发上去就是了。”
黄老爷子对陆军打断他说话有些不满，不过他懂了陆军的意思，也就没有提出之前的问题，而是不高兴地说了一句：“不务正业！”
付新囧了，他知道这黄老爷子要考考他，他对这个，根本不怕，心想着让黄老爷更进一步改变对自己的印象，没想到陆军自作多情，帮他解围，帮了倒忙。这些基础知识，如果付新被考住，那可真是与眼前这个老头子无缘了！
但是，泥人也有三分火气，三番两次地被这老爷子弄得尴尬，付新终于忍不住了，于是故意找了一个难题，向黄老爷子诚恳地问道：“老爷子，我以前听说过一种英文缩写名叫做IGBT，全称叫做Insulated_Gate_Bipolar_Transistor的绝缘栅双极型晶体管，它是由BJT，双极型三极管和MOS，绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
可是我一直搞不懂它的工作特性，为什么分静态特性和动态特性，静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性，动态特性我只知道一个，是IGBT在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，因此又增加了一段延迟时间。我想问您，你知道这个这个IGBT绝缘栅双极型晶体管的工作特性为什么会这样吗？”RS